具有用于阶梯区域的支持结构的三维存储器件
授权
摘要
公开了3D存储器件的实施例及其形成方法。在示例中，3D存储器件包括存储堆叠层、第一半导体层、支撑结构、第二半导体层、和多个沟道结构。存储堆叠层包括垂直地交错的导电层和电介质层，并且在平面图中具有核心阵列区域和阶梯区域。第一半导体层在存储堆叠层的核心阵列区域上方并与之重叠。支撑结构在存储堆叠层的阶梯区域上方并与之重叠。支撑结构和第一半导体层是共面的。第二半导体层在第一半导体层和支撑结构上方并与之接触。每个沟道结构垂直地延伸穿过第一半导体层和存储堆叠层的核心阵列区域进入第二半导体层中。
基本信息
专利标题 ：
具有用于阶梯区域的支持结构的三维存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112272868A
申请号 ：
CN202080001882.7
公开（公告）日 ：
2021-01-26
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
CN112272868B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
张坤吴林春张中周文犀霍宗亮
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京永新同创知识产权代理有限公司
代理人 ：
张殿慧
优先权 ：
CN202080001882.7
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-02-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20200731
申请日 : 20200731
2021-01-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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