氧化镓结晶的制法
公开
摘要
使含有Ga离子的水溶液处于温度400℃以上、压力22.1MPa以上的超临界状态，由此得到α－或β－Ga2O3结晶。
基本信息
专利标题 ：
氧化镓结晶的制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114585776A
申请号 ：
CN202080048364.0
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉川润前田美穗
申请人 ：
日本碍子株式会社
申请人地址 ：
日本国爱知县
代理机构 ：
北京旭知行专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王轶
优先权 ：
CN202080048364.0
主分类号 ：
C30B29/16
IPC分类号 ：
C30B29/16 C30B7/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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