基材亲水性结合的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种用于将第一基材(S1)与第二基材(S2)亲水性结合的方法，所述方法包括：‑使第一基材(S1)与第二基材(S2)接触，以在第一基材的主表面与第二基材的主表面之间形成结合界面，‑施加适合于封闭所述结合界面的热处理，所述方法的特征在于，其包括：在进行接触的步骤之前，在第一基材和/或第二基材的主表面上沉积由非金属材料制成的结合层(12)，所述非金属材料对氢气可透过并且在热处理的温度下的屈服强度低于位于结合界面处的第一基材(S1)和第二基材(S2)的材料中的至少一种，所述层的厚度为1nm至6nm，并且热处理在低于或等于900℃，并且优选低于或等于600℃的温度下进行。
基本信息
专利标题 ：
基材亲水性结合的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556543A
申请号 ：
CN202080050959.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-07-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
V·拉里F·里厄托尔J-M·哈特曼F·弗内尔迪迪埃·朗德吕O·科诺查克卢多维克·埃卡尔诺
申请人 ：
索泰克公司;法国原子能和替代能源委员会
申请人地址 ：
法国伯尔宁
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋珂
优先权 ：
CN202080050959.X
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20200713
申请日 : 20200713
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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