用于使基材在结合之前对准的方法
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摘要

本发明涉及一种用于使具有至少两个第一对准标记的第一基材(7)与具有至少两个第二对准标记(8’)的第二基材(7’)对准的方法,其中,通过第一关联在X方向和在Y方向上使第一对准标记(8)关联于基材(7)的至少两个第一独特的对准特征(9),通过第二关联在X方向和在Y方向上使第二对准标记(8’)关联于第二基材(7’)的至少两个第二独特的对准特征(9’)并且通过对准借助于第一和第二独特的对准特征(9,9’)在X和Y方向上使第一(8)和第二对准标记(8’)彼此对准。此外,本发明设计一种对应的装置。

基本信息
专利标题 :
用于使基材在结合之前对准的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN107646139A
申请号 :
CN201680031184.5
公开(公告)日 :
2018-01-30
申请日 :
2016-06-01
授权号 :
CN107646139B
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
V.德拉戈伊
申请人 :
EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请人地址 :
奥地利圣弗洛里安
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
郭帆扬
优先权 :
CN201680031184.5
主分类号 :
H01L21/68
IPC分类号 :
H01L21/68  H01L21/67  
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2022-04-19 :
授权
2018-06-15 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/68
申请日 : 20160601
2018-01-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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