基材加工方法和基材加工设备
公开
摘要
一种方法，包括：将基材提供在基材加工设备的加工腔室中，该基材具有包含氧化硅膜的第一区域和包含除了氧化硅膜之外的膜的第二区域；将氟化氢吸附在基材上；以及将具有吸收的氟化氢的基材暴露于由惰性气体生成的等离子体，以相对于第二区域选择性地蚀刻第一区域。
基本信息
专利标题 ：
基材加工方法和基材加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551235A
申请号 ：
CN202111359218.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
户村幕树大内田聪木原嘉英
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王琼先
优先权 ：
CN202111359218.2
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/02 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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