具有倾斜C轴取向的压电体层及其制造方法
公开
摘要
一种结构包括基片，基片包括晶圆或其一部分；并且结构包括压电主体材料层，压电主体材料层包含沉积在基片上的第一部分和沉积在第一部分上的第二部分，第二部分包含具有4.5nm或更小的表面粗糙度(Ra)的外表面。用于沉积压电主体材料层的方法包括以第一入射角沉积主体层材料的第一部分以实现预定的c轴倾斜，以及以小于第一入射角的第二入射角将主体材料层的第二部分沉积在第一部分上。第二部分具有与第一c轴倾斜基本上对齐的第二c轴倾斜。
基本信息
专利标题 ：
具有倾斜C轴取向的压电体层及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631261A
申请号 ：
CN202080064143.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
德雅·德尼兹马修·瓦西里克罗伯特·卡夫约翰·贝尔希克
申请人 ：
QORVO美国公司
申请人地址 ：
美国北卡罗来纳州
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈黎明
优先权 ：
CN202080064143.2
主分类号 ：
H03H9/15
IPC分类号 ：
H03H9/15 H01L41/33 H01L41/337
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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