用于产生电子束的电子源
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种用于产生电子束(8)的电子源(2)，其具有由碳化硅衬底(5)外延生长的以石墨烯层(6,12)形式的阴极(1)和阳极(4)。本发明适用于小型化高能聚焦电子束源的整体制备，包括其用作片上X射线源。所有元件都可以由单个碳化硅芯片或在单个碳化硅芯片上制备。
基本信息
专利标题 ：
用于产生电子束的电子源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114521282A
申请号 ：
CN202080067855.X
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H·韦伯M·克里格C·奥特
申请人 ：
埃朗根-纽伦堡弗里德里希·亚历山大大学
申请人地址 ：
德国埃朗根
代理机构 ：
深圳永慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋鹰武
优先权 ：
CN202080067855.X
主分类号 ：
H01J3/02
IPC分类号 ：
H01J3/02 H01J35/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J3/00
通用于两种或两种以上基本类型的放电管或灯的电子光学或离子光学装置的零部件或离子阱的零部件
H01J3/02
电子枪
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 3/02
申请日 : 20200731
申请日 : 20200731
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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