铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制...
公开
摘要
本发明涉及一种铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板，更加详细涉及由化学式1表示的铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板。根据本发明，能够形成均匀的薄膜，并由于改善沉积速度而提高生产率，同时热稳定性和保存稳定性优秀，且易于处理。
基本信息
专利标题 ：
铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114599658A
申请号 ：
CN202080074133.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
延昌峰金进喜郑在善李锡宗
申请人 ：
秀博瑞殷株式公社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京鸿元知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜虎
优先权 ：
CN202080074133.7
主分类号 ：
C07F5/00
IPC分类号 ：
C07F5/00 C23C16/18 C23C16/34 C23C16/40 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F5/00
含周期表第3或13族元素的化合物
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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