一种适用于记忆电机的转子位置零位偏差在线校正方法
授权
摘要
本发明公开了一种适用于记忆电机的转子位置零位偏差在线校正方法，在正常工况下，能够校正编码器引起的转子位置零位偏差；该方法在初始零位θ0，以及初始零位偏移位置θ1＝θ0‑Δθ、θ2＝θ0+Δθ处，施加id1充磁电流脉冲，并记录下各次充磁后的电机磁化状态，通过比较这三个磁化状态，判断出三者中最准确的零位并更新，重复上述过程，寻找出误差最小的零位，从而实现转子位置零位偏差的校正；该种方法利用记忆电机的调磁特性，可以在不改变工况的情况下在线校正转子位置零位偏差，操作简单。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于记忆电机的转子位置零位偏差在线校正方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112671297A
申请号 ：
CN202110043905.7
公开（公告）日 ：
2021-04-16
申请日 ：
2021-01-13
授权号 ：
CN112671297B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
林鹤云仲宇翔阳辉陈智勇房淑华
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
江苏省南京市玄武区新街口街道四牌楼2号
代理机构 ：
北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张明利
优先权 ：
CN202110043905.7
主分类号 ：
H02P21/18
IPC分类号 ：
H02P21/18 H02P21/06
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-05-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02P 21/18
申请日 : 20210113
申请日 : 20210113
2021-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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