本发明属于量子点技术领域。本发明公开了一种基于旋涂技术的可控量子点制备方法，所述量子点以图形化衬底为模板通过将量子点源离心旋涂在所述图形化衬底上后经过生长获得；具体包括衬底预处理、衬底图形化处理、可控量子点制备及固定量子点等步骤；本发明还公开了一种由上述制备方法制得的量子点。本发明中利用了图形化衬底及旋涂技术，实现了量子点的均匀可控生长，本发明中获得的量子点完全生长于图形化衬底的目标区域，再目标区域外不生长量子点；本发明中可以根据需要针对不同的量子点形状涉及图形化衬底，满足生长不同形状量子点的需求；本发明中的量子点生长工艺的工艺过程更加简单，但也能实现可控量子点生长。