一种抑制卤氧化铋光腐蚀的方法
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摘要
本发明涉及一种抑制卤氧化铋光腐蚀的方法,属于光催化材料技术领域。纯的卤氧化铋在光催化过程中会在其表面生成一圈钝化层(Bi2O3),严重阻碍了其光催化性能的表达。本发明通过原位光沉积硝酸钴,生成的氧化钴助催化剂与卤素原子发生合金化效应,形成三氧化钴铋(BiCoO3)合金,包裹住卤氧化铋,有效抑制了其光腐蚀的同时提高了其光催化性能。本发明提供的制备方法,材料廉价,过程简单,条件可控,所得的三氧化钴铋(BiCoO3)合金能有效改善卤氧化铋的光电化学性质,促进其电荷分离,并提高其光催化性能。
基本信息
专利标题 :
一种抑制卤氧化铋光腐蚀的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112774700A
申请号 :
CN202110105290.6
公开(公告)日 :
2021-05-11
申请日 :
2021-01-26
授权号 :
CN112774700B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
喻志阳罗志珊张诗佳叶晓圆
申请人 :
福州大学
申请人地址 :
福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学
代理机构 :
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 :
修斯文
优先权 :
CN202110105290.6
主分类号 :
B01J27/06
IPC分类号 :
B01J27/06 B01J23/843 B01J37/10 B01J37/34 B01J37/03 C01B13/02
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01J
化学或物理方法,例如,催化作用或胶体化学;其有关设备
B01J27/00
包含卤素、硫、硒、碲、磷或氮的元素或化合物的催化剂;包含碳化合物的催化剂
B01J27/06
卤素;其化合物
法律状态
2022-04-05 :
授权
2021-05-28 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B01J 27/06
申请日 : 20210126
申请日 : 20210126
2021-05-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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