具有氧化硅腐蚀抑制剂的蚀刻溶液及其使用方法
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摘要
本文描述的是一种适于从微电子器件相对于氧化硅选择性去除多晶硅的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：水；至少一种季铵氢氧化物化合物；任选地，至少一种链烷醇胺化合物；水混溶性溶剂；选自C4‑12烷基胺、聚亚烷基亚胺、多胺、含氮杂环化合物、含氮芳族化合物或含氮杂环和芳族化合物的至少一种含氮化合物；和任选地，表面活性剂。
基本信息
专利标题 ：
具有氧化硅腐蚀抑制剂的蚀刻溶液及其使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111197182A
申请号 ：
CN201911136582.5
公开（公告）日 ：
2020-05-26
申请日 ：
2019-11-19
授权号 ：
CN111197182B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
刘文达李翊嘉张仲逸
申请人 ：
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吴亦华
优先权 ：
CN201911136582.5
主分类号 ：
C30B33/10
IPC分类号 ：
C30B33/10 C09K13/00 H01L21/306
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-06-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/10
申请日 : 20191119
申请日 : 20191119
2020-05-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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