一种简易制备多波段近场增强复合纳米天线的方法
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摘要

本发明涉及一种简易制备多波段近场增强复合纳米天线的方法,属于激光加工应用技术领域。本发明通过斜入射聚焦飞秒激光进行单点加工,调控后续脉冲错位加工并调整偏移方位,利用前序结构边缘与飞秒激光之间的夹角任意性,无需借助外加条件即可通过简易控制飞秒激光制造微纳光栅结构并改变其周期,随后再利用物镜聚焦加工得到纳米喷射颗粒,制备出可在多波段进行近场增强的复合纳米天线。本发明解决了目前纳米天线近场增强波段单一的限制,利用飞秒激光斜入射错位单点加工制备微纳光栅及改变其周期的方法简便易行,避免了液体环境或其他加工环境对样品造成影响,可广泛应用于光学通讯、传感、纳米光电器件等领域。

基本信息
专利标题 :
一种简易制备多波段近场增强复合纳米天线的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112928465A
申请号 :
CN202110199836.9
公开(公告)日 :
2021-06-08
申请日 :
2021-02-22
授权号 :
CN112928465B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
姜澜王飞飞孙靖雅
申请人 :
北京理工大学
申请人地址 :
北京市海淀区中关村南大街5号
代理机构 :
北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
邬晓楠
优先权 :
CN202110199836.9
主分类号 :
H01Q1/38
IPC分类号 :
H01Q1/38  C23C14/16  C23C14/35  C23C14/58  
法律状态
2022-04-22 :
授权
2021-06-25 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 1/38
申请日 : 20210222
2021-06-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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