一种用于脉冲功率应用中SiC MOSFET的强流驱动装置
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摘要
本发明公开一种用于脉冲功率应用中SiC MOSFET的强流驱动装置，电路结构如下：上臂电感Ldr_h连接上桥臂漏极寄生电感LHd.int；所述上桥臂漏极寄生电感LHd.int串联开关管Q1的漏极；所述开关管Q1的栅极悬空；所述开关管Q1的源极串联上桥臂源极寄生电感LHs.int的一端；上桥臂源极寄生电感LHs.int的另一端串联栅极电感Lg；上桥臂源极寄生电感LHs.int的另一端串联下桥臂漏极寄生电感LLd.int后连接开关管Q2的漏极；所述开关管Q2的栅极悬空；所述开关管Q2的源极串联下桥臂源极寄生电感LLs.int；下桥臂源极寄生电感LLs.int连接下臂电感Ldr_s。本发明适用于使用SiC MOSFET作为主开关的脉冲功率系统。
基本信息
专利标题 ：
一种用于脉冲功率应用中SiC MOSFET的强流驱动装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113364443A
申请号 ：
CN202110260856.2
公开（公告）日 ：
2021-09-07
申请日 ：
2021-03-10
授权号 ：
CN113364443B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
余亮马剑豪姚陈果董守龙谯雪王丽丽
申请人 ：
重庆大学
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区沙正街174号
代理机构 ：
重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王翔
优先权 ：
CN202110260856.2
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-09-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/687
申请日 : 20210310
申请日 : 20210310
2021-09-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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