密封环及其形成方法
授权
摘要
本发明实施例涉及一种密封环及其形成方法，方法包括：提供半导体基底；在半导体基底上形成第一金属层，第一金属层内具有子介质层；刻蚀子介质层以在第一金属层内形成凹槽，在凹槽内和第一金属层上形成插销金属层。
基本信息
专利标题 ：
密封环及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113053828A
申请号 ：
CN202110268978.6
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2021-03-12
授权号 ：
CN113053828B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
闫华黄信斌
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵新龙
优先权 ：
CN202110268978.6
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/00
申请日 : 20210312
申请日 : 20210312
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN113053828A.PDF
PDF下载
