密封环结构及其制备方法
授权
摘要
一种密封环结构及其制备方法，涉及集成电路技术领域。该密封环结构包括通过半导体外延层制作的增强型高电子迁移率晶体管、二极管组和电阻，增强型高电子迁移率晶体管用于环设于半导体器件的器件区外周，二极管组和电阻用于设于器件区外周；二极管组的阳极用于与半导体器件的第一电极金属连接、阴极与电阻的第一金属端金属连接，电阻的第二金属端用于金属连接半导体器件的第二电极；增强型高电子迁移率晶体管的栅极与二极管组的阴极金属连接、漏极用于与第一电极金属连接、源极用于与半导体器件的第二电极金属连接。该密封环结构能够利用密封环区域实现静电保护功能，从而节省器件的面积。
基本信息
专利标题 ：
密封环结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112701116A
申请号 ：
CN202011581439.X
公开（公告）日 ：
2021-04-23
申请日 ：
2020-12-28
授权号 ：
CN112701116B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
林科闯徐宁刘成何俊蕾林育赐赵杰叶念慈
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
北京超成律师事务所
代理人 ：
张江陵
优先权 ：
CN202011581439.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-05-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20201228
申请日 : 20201228
2021-04-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
