一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法
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摘要
本发明涉及一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法,基于自主设计的原位四电极电学芯片,利用聚焦离子束刻蚀加工技术,将测试材料与典型压电晶体材料组装成微米级条带;使用聚焦离子束中沉积的铂连接测试材料与芯片上的两个电极,也将另外两个电极连接到压电陶瓷材料两端;使用原位样品杆将测试样品放入透射电镜中,对压电晶体施加电压,利用其特有的压电效应实现对测试样品定量施加压应力/拉应力,同时记录应力对于测试材料电学性能、电化学性能、磁学性能等影响。该方法制备样品简单,施加应力精确可控,可同时对样品施加拉应力和压应力,具有很好的普适性,为研究材料中应力与性能之间的关联性提供新的方法。
基本信息
专利标题 :
一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113125475A
申请号 :
CN202110295996.3
公开(公告)日 :
2021-07-16
申请日 :
2021-03-19
授权号 :
CN113125475B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
车仁超杨利廷游文彬裴科李晓张捷
申请人 :
复旦大学
申请人地址 :
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 :
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人 :
刘燕武
优先权 :
CN202110295996.3
主分类号 :
G01N23/04
IPC分类号 :
G01N23/04 G01N23/20058 G01N23/20008 G01N19/00 G01N1/28
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料,例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/02
通过使辐射透过材料
G01N23/04
并形成材料的图片
法律状态
2022-04-01 :
授权
2021-08-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 23/04
申请日 : 20210319
申请日 : 20210319
2021-07-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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