高外量子效率的深紫外LED及其制备方法
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摘要
本发明涉及高外量子效率的深紫外LED及其制备方法，其包括上表面和下表面均设置有正六边阵列形排布的微圆顶型结构的图形化的蓝宝石衬底，其上表面设置外延叠层，外延叠层具有一暴露n‑AlGaN层的mesa台阶，n‑AlGaN层表面靠近外延叠层中多量子阱的一侧设置有Al‑SiO2核壳结构的纳米颗粒阵列。上下对称的微圆顶型图形化蓝宝石衬底的使用不仅能够提高光的出射概率，使光提取效率增加，还可以降低AlGaN外延层的缺陷密度，降低非辐射复合，提升其内量子效率；纳米颗粒阵列通过Al纳米粒子的局域表面等离子激元共振效应，与LED发出的光子产生共振，使得量子阱附近场强增强，增大内量子效率。
基本信息
专利标题 ：
高外量子效率的深紫外LED及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113054064A
申请号 ：
CN202110299523.0
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2021-03-22
授权号 ：
CN113054064B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
孙慧卿杨亚峰彭麟杰苏哈郭志友
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区中山大道西55号
代理机构 ：
佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
耿鹏
优先权 ：
CN202110299523.0
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/14 H01L33/40 H01L33/00
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20210322
申请日 : 20210322
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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