一种镁纳米线薄膜及其制备方法和应用
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摘要
本发明涉及金属薄膜技术领域，提供了一种镁纳米线薄膜的制备方法，本发明通过控制基底的倾斜角度和基底温度来控制纳米Mg薄膜的形貌。其中，当磁控溅射基底的倾斜角度为60°<α<89°，倾斜入射，沉积过程中，镁原子的扩散发生在磁控溅射束在膜表面上的投影的方向上，并且在平行于膜表面的方向上的扩散仅由入射角决定，可以使镁纳米线生长为直径均匀且镁纳米线分布均匀；当基底的温度为25～100℃时，能够得到分离良好的镁纳米线。实验结果表明，当基底温度为25℃，基底的倾斜角度为85°时，镁纳米线薄膜中镁纳米线分散良好，纳米线的直径为25～50nm，可以作为储氢固体材料。
基本信息
专利标题 ：
一种镁纳米线薄膜及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113061860A
申请号 ：
CN202110308343.4
公开（公告）日 ：
2021-07-02
申请日 ：
2021-03-23
授权号 ：
CN113061860B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
梁慧
申请人 ：
徐州工程学院
申请人地址 ：
江苏省徐州市云龙区丽水路2号
代理机构 ：
北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴嵩玮
优先权 ：
CN202110308343.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/18 C23C14/16 B82Y40/00 B82Y30/00 H01M8/04082
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-07-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20210323
申请日 : 20210323
2021-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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