一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺
授权
摘要
本发明公开了一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺，包括以下步骤：S1、微孔硅陶瓷散热片安装，准备框架，其中框架包括第一框架和第二框架，第二框架位于第一框架的顶部，微孔硅陶瓷散热片安装于第二框架的顶部内壁，微孔硅陶瓷散热片为底部开口的空腔结构。本发明有益效果是：通过设置的微孔硅陶瓷散热片，由于陶瓷本身微孔洞的结构，极大的增加了与空气接触的散热面积，大大增强了散热效果，使得MOS芯片本体的散热效果更佳，以及使得MOS芯片本体被弹性固定在支撑板和微孔硅陶瓷散热片之间，这样就能有效的缓解由于热等外部环境的变化而产生的应力以及由于芯片发热而产生的应力，从而导致的芯片损坏。
基本信息
专利标题 ：
一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113066730A
申请号 ：
CN202110317394.3
公开（公告）日 ：
2021-07-02
申请日 ：
2021-03-25
授权号 ：
CN113066730B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
刘道国
申请人 ：
深圳市尚鼎芯科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区留新四街万科云城三期C区八栋A座3301房3302房
代理机构 ：
广东中禾共赢知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
熊士昌
优先权 ：
CN202110317394.3
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L23/32 H01L23/367 H01L23/373 H01L23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-07-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20210325
申请日 : 20210325
2021-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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