超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路
授权
摘要
本发明涉及一种超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路,包括输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧输出驱动电路、低侧栅压钳位电路、调制发送电路、高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、高侧栅压钳位电路、发送端低压产生电路、芯片状态监测电路和接收端低压产生电路。本发明可在高耐压的前提下提高信号处理速度;自动检测地电位共模瞬态噪声的大小,并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿;采用高精度死区时间控制技术,最大程度优化高低侧信号死区时间,提高输出信号相位精度;采用芯片状态实时监测和智能化保护电路,保证GaN工作在理想工作区,提高可靠性。
基本信息
专利标题 :
超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113098471A
申请号 :
CN202110349643.7
公开(公告)日 :
2021-07-09
申请日 :
2021-03-31
授权号 :
CN113098471B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
周德金徐宏黄伟陈珍海马君健李亮
申请人 :
无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请人地址 :
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢406
代理机构 :
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 :
韩凤
优先权 :
CN202110349643.7
主分类号 :
H03K17/687
IPC分类号 :
H03K17/687
法律状态
2022-04-05 :
授权
2021-07-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/687
申请日 : 20210331
申请日 : 20210331
2021-07-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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