超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路
授权
摘要
本发明涉及一种用于高压IGBT器件栅驱动所需要的超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路，该电路包括输入接收电路、死区时间产生电路、低侧延时电路、低侧输出驱动电路、调制发送电路、4个高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、发送端低压产生电路和接收端低压产生电路。本发明所提供的超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，一方面，采用高压绝缘隔离技术，可实现超高耐压绝缘电容；另一方面，可自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压功率器件。
基本信息
专利标题 ：
超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113078801A
申请号 ：
CN202110347587.3
公开（公告）日 ：
2021-07-06
申请日 ：
2021-03-31
授权号 ：
CN113078801B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
周德金马君健黄伟陈珍海
申请人 ：
无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢406
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
韩凤
优先权 ：
CN202110347587.3
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08 H02M1/32 H03F3/45 H03K19/0185
相关图片
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/08
申请日 : 20210331
申请日 : 20210331
2021-07-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN113078801A.PDF
PDF下载
