一种有序介孔单层金属硫化物/氮掺杂碳复合材料及其制备方法...
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摘要
本发明公开了一种有序介孔单层金属硫化物/氮掺杂碳复合材料及其制备方法和应用。本发明通过简单的“一锅法”，分别将金属盐和硫源一步填入到未经过煅烧除模板的介孔二氧化硅(如：SBA‑15、MCF、KIT‑6、MCM‑41、FDU‑12、SBA‑16)中，在惰性气氛保护下，通过高温热解原位炭化和硫化，分别制备同时兼具单层、氮掺杂、碳复合、有序介孔、高比表面积等诸多特性的层状金属硫化物纳米复合材料。本发明有效地解决了层状金属二硫化物应用于电化学储能时常见的导电性差、易发生团聚、体积效应明显等问题。所述复合材料用于碱金属离子电池负极材料时，展现出良好的电化学性能。同时，本发明提供一种简单、有效、低成本、安全且环保的制备方法。
基本信息
专利标题 ：
一种有序介孔单层金属硫化物/氮掺杂碳复合材料及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113206232A
申请号 ：
CN202110457400.5
公开（公告）日 ：
2021-08-03
申请日 ：
2021-04-27
授权号 ：
CN113206232B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
顾栋张星
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
代理机构 ：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李炜
优先权 ：
CN202110457400.5
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/58 H01M4/583 H01M4/62 H01M10/054
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-08-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20210427
申请日 : 20210427
2021-08-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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