一种共掺杂氧化锌纳米线阵列及其制备方法、光电子器件
授权
摘要

本发明提供了一种共掺杂氧化锌纳米线阵列及其制备方法、光电子器件,该制备方法包括以下步骤:提供一衬底;将金属氧化物以及还原剂混合,得到混合料;将衬底置于管式炉中的石英管内一侧,将混合料置于管式炉中的石英管内另一侧;向石英管内通入氮源,分别控制衬底、混合料为不同的温度并保温,反应后得到共掺杂氧化锌纳米线阵列。本方法通过在石英管内设置两个不同的温区,利用化学气相沉积法,生长金属和氮双元素共掺杂的氧化锌纳米线阵列,采用该方法实现了金属元素和N元素的双元素共掺氧化锌纳米线阵列的制备,拓宽了氧化锌基光电器件的应用前景。

基本信息
专利标题 :
一种共掺杂氧化锌纳米线阵列及其制备方法、光电子器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113249785A
申请号 :
CN202110460421.2
公开(公告)日 :
2021-08-13
申请日 :
2021-04-27
授权号 :
CN113249785B
授权日 :
2022-05-31
发明人 :
张翔晖丁宝玉胡永明顾豪爽张唐磊苏明明
申请人 :
湖北大学
申请人地址 :
湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
代理机构 :
北京金智普华知识产权代理有限公司
代理人 :
张文俊
优先权 :
CN202110460421.2
主分类号 :
C30B25/14
IPC分类号 :
C30B25/14  C30B25/16  C30B29/16  C30B31/16  C30B31/18  H01L21/02  H01L29/06  H01L33/26  B82Y10/00  B82Y30/00  B82Y40/00  C01F3/02  C01G9/03  C01G15/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/14
气体供给或排出用的装置;反应气流的变换
法律状态
2022-05-31 :
授权
2021-08-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/14
申请日 : 20210427
2021-08-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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