疏密梯度微结构、疏密梯度微结构的制备方法及磁控开关
授权
摘要
本发明公开了一种疏密梯度微结构、疏密梯度微结构的制备方法及磁控开关,涉及微流控技术领域,包括基体,所述基体上设置有若干阵列区域,各所述阵列区域包括若干均布的微柱,不同的所述阵列区域的所述微柱的间距由所述基体的一端向所述基体的另一端依次增大,所述微柱均具有磁性。本发明的疏密梯度微结构的微柱按照一定规则形成疏密的阵列区域,微柱可以在外部磁场的条件下定向偏转。通过控制磁场的强弱,可以控制微柱的偏转角度,继而控制液膜铺展方向,由此可以实现液体的定向调控。本发明可以实现微流控领域的液体铺展方向实时调控,为微流控、药物定向筛选、以及微流控芯片的设计提供新思路。
基本信息
专利标题 :
疏密梯度微结构、疏密梯度微结构的制备方法及磁控开关
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113289700A
申请号 :
CN202110527092.9
公开(公告)日 :
2021-08-24
申请日 :
2021-05-14
授权号 :
CN113289700B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
陈华伟刘光张力文陈登科
申请人 :
北京航空航天大学
申请人地址 :
北京市海淀区学院路37号
代理机构 :
北京高沃律师事务所
代理人 :
王富强
优先权 :
CN202110527092.9
主分类号 :
B01L3/00
IPC分类号 :
B01L3/00
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01L
通用化学或物理实验室设备
B01L3/00
实验室用的容器或器皿,如实验室玻璃仪器;点滴器
法律状态
2022-04-29 :
授权
2021-09-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B01L 3/00
申请日 : 20210514
申请日 : 20210514
2021-08-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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