晶片处理系统、气体喷射系统和控制气体的温度的方法
公开
摘要
本公开提供了一种晶片处理系统、气体喷射系统和控制气体的温度的方法。晶片处理系统包括晶片处理室，此晶片处理室限定了在其中处理晶片的处理区域。晶片处理系统包括气体喷射系统。气体喷射系统包括气体喷射器，此气体喷射器配置以将用于处理晶片的第一气体喷射到处理区域中。第一气体管用于将处于第一温度的第一气体引导至气体喷射器。气体喷射系统包括包围气体喷射器的加热壳体。第二气体管配置以将加热的气体引导到加热壳体，以将加热壳体处的壳体温度增加到第二壳体温度。由于在加热壳体处的第二壳体温度，气体喷射器中的第一气体的温度从第一温度升高到第二温度。
基本信息
专利标题 ：
晶片处理系统、气体喷射系统和控制气体的温度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628213A
申请号 ：
CN202110530051.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-05-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈柏勲周俊伟廖耕颍林子平吴泰进叶书佑陈柏仁
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110530051.5
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67 H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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