硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储介质

授权

摘要

本申请实施例提供一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储介质，涉及微机电传感器技术领域，采用本申请提供的硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法，按照晶向角优化步长增加谐振式传感器的晶向角进行搜索，对于每一次搜索，在多个测试温度下对所述谐振式传感器进行模态仿真，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量，搜索完成后汇总谐振频率温度变化量找到最优晶向角。本申请可以高效、便捷地确定使硅谐振式传感器频率温度漂移最小的加工晶向，提升传感器的温度稳定性。

基本信息

专利标题：

硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储介质

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113343520A

申请号：

CN202110578205.8

公开（公告）日：

2021-09-03

申请日：

2021-05-26

授权号：

CN113343520B

授权日：

2022-05-13

发明人：

崔健赵前程刘梦霞

申请人：

北京大学

申请人地址：

北京市海淀区颐和园路5号

代理机构：

北京润泽恒知识产权代理有限公司

代理人：

苟冬梅

优先权：

CN202110578205.8

主分类号：

G06F30/23

IPC分类号：

G06F30/23 G06F119/08

IPC结构图谱

G部——物理

G06

计算；推算或计数

G06F

电数字数据处理

G06F30/23

使用有限元方法或有限差方法

法律状态

2022-05-13 ：

授权

2021-09-21 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G06F 30/23
申请日 : 20210526

2021-09-03 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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