化合物镉铅氧氯和镉铅氧氯红外光学晶体及制备方法和用途
授权
摘要
本发明涉及一种化合物镉铅氧氯和镉铅氧氯红外光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为CdPbOCl2，分子量为406.5158，采用高温固相法制成；该晶体的化学式为CdPbOCl2，分子量为406.5158，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为a=6.336(3)Å，b=11.981(6)Å，c=5.927(3)Å；α=90°，β=95.675(7)°，γ=90°，V=447.72(40)Å3，采用自发结晶法或顶部籽晶法生长晶体，该晶体具有大光学带隙3.6 eV，为无色透明的中心对称结构晶体，透过范围较宽，覆盖3‑5和8‑12μm大气窗口，在红外光学领域具有潜在的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
化合物镉铅氧氯和镉铅氧氯红外光学晶体及制备方法和用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113322517A
申请号 ：
CN202110629526.6
公开（公告）日 ：
2021-08-31
申请日 ：
2021-06-03
授权号 ：
CN113322517B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
李俊杰潘世烈白晨程丙良
申请人 ：
中国科学院新疆理化技术研究所
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
代理机构 ：
乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张莉
优先权 ：
CN202110629526.6
主分类号 ：
C30B29/12
IPC分类号 ：
C30B29/12 C30B15/00 C30B11/02 C30B28/02 C01G21/00 G02B1/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/12
卤化物
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-09-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/12
申请日 : 20210603
申请日 : 20210603
2021-08-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
