本发明题为“两侧相邻存储器单元干扰抑制”。本发明公开了用于非易失性存储系统中的两侧相邻存储器单元干扰抑制的技术。在读取目标存储器单元期间，存储系统在将合适幅值的读取参考电压施加到目标字线以对来自该目标字线的另一侧上的第二未选择字线上的相邻单元的干扰进行补偿的同时，将合适幅值的读取通过电压施加到与目标字线相邻的第一未选择字线以对来自该第一未选择字线上的相邻单元的干扰进行补偿。读取通过电压可对由于在对目标单元进行编程之后对第一未选择字线上的单元进行编程时添加的电荷造成的干扰进行补偿。读取参考电压可对由于目标单元附近的电荷移动造成的干扰进行补偿，该干扰由存储在第二未选择字线上的单元中的电荷引起。