DRAM相邻行干扰缓解
授权
摘要
本发明涉及缓解DRAM集成电路中的行锤(row hammer)攻击。公开了用于具有适度开销的嵌入式目标行刷新(TRR)解决方案的装置和方法。在操作中，它对用户来说几乎是透明的。除了通过模式寄存器启用以及平均刷新率增加近似1％的一半外，不需要其他用户操作。伴随着ACTIVE命令的行地址流被监测和过滤，以仅跟踪以危险速率出现的地址并拒绝以低于危险速率出现的地址。
基本信息
专利标题 ：
DRAM相邻行干扰缓解
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108369820A
申请号 ：
CN201680071734.6
公开（公告）日 ：
2018-08-03
申请日 ：
2016-10-17
授权号 ：
CN108369820B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
D·E·菲施W·C·普兰斯
申请人 ：
伊文萨思公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
酆迅
优先权 ：
CN201680071734.6
主分类号 ：
G11C11/4078
IPC分类号 ：
G11C11/4078 G11C7/24
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
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G11C11/4078
安全或保护电路，例如，用于防止无意的或非法的读或写；状态单元；测试单元
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2018-11-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/4078
申请日 : 20161017
申请日 : 20161017
2018-08-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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