一种薄膜电感器加工工艺和薄膜电感器

授权

摘要

本申请涉及电感器加工技术领域，具体公开了一种薄膜电感器加工工艺和薄膜电感器，加工工艺包括如下步骤：设置第一绝缘层；在绝缘基板处外加磁场，设置钛层、第一铜层；设置第一挂镀铜，形成电感线圈、正面电极；设置导热硅脂填充二氧化硅层、二氧化硅层，形成隔离层、第二绝缘层；在绝缘基板处外加磁场，设置第二铜层；设置第二挂镀铜，形成引出棒；加工两个背面电极；加工侧面电极，形成初成品；将初成品于温度130‑160℃的条件下，热处理0.5‑2h。本申请的薄膜电感器加工工艺，有效的降低金属钛、金属铜出现团聚颗粒化的现象，而且增加了钛层、第一铜层、第二铜层的结晶性，提高薄膜电感器的性能、稳定性、良品率、实用性。

基本信息

专利标题：

一种薄膜电感器加工工艺和薄膜电感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113539652A

申请号：

CN202110760752.8

公开（公告）日：

2021-10-22

申请日：

2021-07-06

授权号：

CN113539652B

授权日：

2022-05-20

发明人：

高涛彭美华邹松青林素娟

申请人：

合泰盟方电子（深圳）股份有限公司

申请人地址：

广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华霆路166号2栋1层202

代理机构：

北京维正专利代理有限公司

代理人：

黄勇

优先权：

CN202110760752.8

主分类号：

H01F41/00

IPC分类号：

H01F41/00 H01F27/29 H01F27/28