一种高性能硅碳负极极片及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及锂电池领域，针对硅负极在嵌锂过程中体积变化大的问题，提供一种高性能硅碳负极极片，配方为：按质量份数计，硅碳复合材料90～96份，添加剂多孔碳1～4份、导电剂0.5～2份，粘结剂1.2‑4份，其中硅碳复合材料由硅基材料和石墨材料组成。本发明采用多孔碳材料作为添加剂，可很好的缓冲硅基负极材料在充放电过程中带来的巨大体积效应，结构稳定性得到大大的提高，从而抑制负极膨胀。本发明还提供所述高性能硅碳负极极片的制备方法。
基本信息
专利标题 ：
一种高性能硅碳负极极片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628648A
申请号 ：
CN202110773071.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-07-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王慧敏许梦清
申请人 ：
万向一二三股份公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区萧山经济技术开发区建设二路855号
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
何俊
优先权 ：
CN202110773071.5
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/38 H01M4/583 H01M4/62 H01M10/0525 H01M10/42
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
