硅负极片的制备方法
公开
摘要
本申请提供一种硅负极片的制备方法。上述的硅负极片的制备方法包括如下步骤：获取负极片，负极片上涂覆有包括硅基负极材料和聚合物胶黏剂的负极浆料；采用中空辊筒对负极片进行卷绕操作，得到负极卷；采用包覆膜对负极卷进行密封处理，以使负极卷的外周形成包覆筒体，包覆筒体的长度大于负极卷的长度；采用封堵件对密封处理后的负极卷进行封堵处理，以使包覆筒体的两端挤入中空辊筒内，且封堵件穿设于中空辊筒，包覆筒体两端的包覆膜夹设于中空辊筒和封堵件之间；对封堵处理后的负极卷进行阶段性热处理。上述的硅负极片的制备方法既能实现对硅基负极材料的粘结性能，又能减轻铜箔片的氧化程度。
基本信息
专利标题 ：
硅负极片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597344A
申请号 ：
CN202210224643.9
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邓健想刘长昊
申请人 ：
惠州市赛能电池有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市惠城区水口街道办事处东江工业区B区02、03房
代理机构 ：
惠州知侬专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗佳龙
优先权 ：
CN202210224643.9
主分类号 ：
H01M4/134
IPC分类号 ：
H01M4/134 H01M4/1395
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
