一种spiro-OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛...
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摘要
本发明公开了一种spiro‑OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其主要包括以下步骤：（1）将ITO基底清洗干净并吹干；（2）配制SnO2‑KCl溶液；将SnO2‑KCl溶液旋涂在ITO玻璃上；（3）将钙钛矿前驱体溶液旋涂于SnO2‑KCl层上；（4）将spiro‑OMeTAD:Sb2S3分散液旋涂于钙钛矿层上，从而得到了ITO/SnO2‑KCl/钙钛矿/spiro‑OMeTAD:Sb2S3样品；（5）真空蒸镀金电极。本发明避免了以往太阳能电池制备过程中的高温处理从而能够降低生产成本，并且还能提高太阳能电池的光电转换效率，适合卷对卷的大规模工业化生产。
基本信息
专利标题 ：
一种spiro-OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113421973A
申请号 ：
CN202110777044.5
公开（公告）日 ：
2021-09-21
申请日 ：
2021-07-09
授权号 ：
CN113421973B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
陈冲杜青申志涛李福民李桧林
申请人 ：
河南大学
申请人地址 ：
河南省开封市明伦街85号
代理机构 ：
郑州联科专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张丽
优先权 ：
CN202110777044.5
主分类号 ：
H01L51/42
IPC分类号 ：
H01L51/42 H01L51/44 H01L51/46 H01L51/48
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-10-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/42
申请日 : 20210709
申请日 : 20210709
2021-09-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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