一种高导热Cu-Invar双金属基复合材料的粉末冶金制备...
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摘要

本发明公开了一种高导热Cu‑Invar双金属基复合材料的粉末冶金制备方法,包括如下制备步骤:(1)选材;(2)筛分;(3)混料;(4)还原;(5)烧结。与其它Cu‑Invar复合材料的制备方法相比,本发明选取较大粒径的Invar合金粉体,采用放电等离子体烧结工艺,降低烧结温度,缩短高温停留时间,制备的Cu‑Invar双金属基复合材料中Invar颗粒分布均匀,性能无各向异性,且界面扩散基本完全抑制,综合性能优异,可用作高性能电子封装热沉材料。

基本信息
专利标题 :
一种高导热Cu-Invar双金属基复合材料的粉末冶金制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113667852A
申请号 :
CN202111032854.4
公开(公告)日 :
2021-11-19
申请日 :
2021-09-03
授权号 :
CN113667852B
授权日 :
2022-05-31
发明人 :
汤文明聂强强
申请人 :
合肥工业大学
申请人地址 :
安徽省合肥市包河区屯溪路193号
代理机构 :
宿迁市永泰睿博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘海莉
优先权 :
CN202111032854.4
主分类号 :
C22C1/04
IPC分类号 :
C22C1/04  B22F1/00  B22F3/14  C22C9/00  H01L23/373  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C22
冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理
C22C
合金
C22C1/00
有色金属合金的制造
C22C1/04
用粉末冶金法
法律状态
2022-05-31 :
授权
2021-12-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C22C 1/04
申请日 : 20210903
2021-11-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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