包含异构光电二极管类型的像素阵列
公开
摘要
本发明涉及包含异构光电二极管类型的像素阵列，揭露一种包含多个光电二极管的结构和制造包括多个光电二极管的结构的方法。衬底具有延伸到衬底中的第一深度的第一沟槽和延伸到衬底中大于第一深度的第二深度的第二沟槽。第一光电二极管包括位于第一沟槽中的包含第一材料的第一光吸收层。第二光电二极管包括位于第二沟槽中的包含第二材料的第二光吸收层。第一材料和第二材料各自包括锗。
基本信息
专利标题 ：
包含异构光电二极管类型的像素阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597224A
申请号 ：
CN202111159338.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
约翰·J·艾利斯-蒙纳翰史蒂芬·M·宣克R·克里什纳萨米拉姆齐·哈兹本
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202111159338.8
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L31/028 H01L31/18
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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