基于增强型MOSFET导通电阻的电流感测的动态偏置技术
公开
摘要
本公开涉及基于增强型MOSFET导通电阻的电流感测的动态偏置技术。开关变换器电路，包括：电感电路元件；驱动器开关电路，被配置为向所述电感电路元件提供能量以产生所述开关变换器电路的输出电压，该输出电压具有交流(AC)信号分量和直流(DC)信号分量；电流感测电路，被配置为产生代表所述电感电路元件的电感器电流的电流感测信号，其中所述电流感测电路的输出耦合到偏置电路节点；和动态偏置电路，被配置为向所述偏置电路节点施加动态偏置电压，其中所述动态偏置电压包括跟踪所述输出电压的AC信号分量的AC分量。
基本信息
专利标题 ：
基于增强型MOSFET导通电阻的电流感测的动态偏置技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114301268A
申请号 ：
CN202111170199.9
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严颖怡
申请人 ：
美国亚德诺半导体公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
张小稳
优先权 ：
CN202111170199.9
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088 H02M1/10 H02M3/07
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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