基于全内反射的光功率调制器
实质审查的生效
摘要
本发明涉及基于全内反射的光功率调制器，揭示了光功率调制器的结构以及制造光功率调制器的结构的方法。波导芯包括纵轴、第一区段、以及沿该纵轴与该第一区段隔开的第二区段。有源层包括在该波导芯的该第一区段与该第二区段间沿该纵轴设置的一部分。该有源层包含的材料经配置以具有：具有响应施加刺激的第一折射率的第一状态以及具有不同于该第一折射率的第二折射率的第二状态。
基本信息
专利标题 ：
基于全内反射的光功率调制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114460767A
申请号 ：
CN202111318977.4
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
巴特罗梅·J·帕拉克卞宇生
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202111318977.4
主分类号 ：
G02F1/015
IPC分类号 ：
G02F1/015 G02F1/025 G02F1/03 G02F1/035
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/015
基于至少有一个跃迁势垒的半导体元件的，例如，PN、PIN结
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/015
申请日 : 20211109
申请日 : 20211109
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
