全内反射式椭偏成像装置和成像方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
全内反射椭偏成像装置及成像方法，它涉及一种利用椭偏术的光学成像方法和成像装置。本发明的全内反射椭偏成像装置，包括：光源、起偏器、滤波装置、补偿器、检偏器、透镜、位于入射光的光路上使光源所发出的光形成扩展的准直光准直系统、待测样品、棱镜和位于待测样品的反射光路上的CCD或CMOS探测器，CCD或CMOS探测器对扩展探测光束照射样品上的所有点同时进行成像测量。本发明的方法，包括：将一准直的单色入射光形成偏振光，将该光束形成为扩展的探测光束，然后将该光束以入射角α照射至待测样品；对扩展的探测光所照射区域的所有点的反射光束同时进行CCD或CMOS成像测量。本发明解决了现有的成像装置和成像方法只能实现单点单样品测量的问题。
基本信息
专利标题 ：
全内反射式椭偏成像装置和成像方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1963464A
申请号 ：
CN200510117696.7
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
靳刚王战会陈艳艳孟永宏
申请人 ：
中国科学院力学研究所
申请人地址 ：
100080北京市海淀区北四环西路15号
代理机构 ：
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 ：
高存秀
优先权 ：
CN200510117696.7
主分类号 ：
G01N21/21
IPC分类号 ：
G01N21/21 G01N21/17
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/21
影响偏振的性质
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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