离子传感设备
公开
摘要
一种离子传感设备包括：第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、被配置为直接接触样品溶液的参考电极、第一离子敏感膜，以及第二离子敏感膜。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的每个包括：半导体膜、底部栅极、位于底部栅极与半导体膜之间的底部栅极绝缘膜，以及顶部栅极绝缘膜。用于第一离子敏感膜和第二离子敏感膜的与样品溶液接触的表面材料是相同的。第一场效应晶体管与第一离子敏感膜的组合的灵敏度高于第二场效应晶体管与第二离子敏感膜的组合的灵敏度。
基本信息
专利标题 ：
离子传感设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114624308A
申请号 ：
CN202111411854.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
竹知和重岩松新之辅村山裕纪渡部善幸
申请人 ：
天马日本株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
谭营营
优先权 ：
CN202111411854.5
主分类号 ：
G01N27/414
IPC分类号 ：
G01N27/414 G01N27/333
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/18
••••由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻
G01N27/26
通过测试电化学变量；用电解或电泳法
G01N27/403
电池和电极组件
G01N27/414
对离子敏感的场效应晶体管或化学场效应晶体管，即ISFETS或CHEMFETS
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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