具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片及其制备方法
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摘要
本发明公开了具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片及其制备方法，所述VCSEL芯片包括GaAs衬底、在所述GaAs衬底上依次生长的N型布拉格反射镜和谐振腔、设置在对应非出光区域的所述谐振腔表面的非氧化型电流限制层、设置在所述非氧化型电流限制层以及对应出光区域的所述谐振腔表面的第一P型布拉格反射镜、设置在所述第一P型布拉格反射镜表面的P接触层、设置在所述P接触层上的P电极以及设置在所述GaAs衬底下表面的N电极。本发明解决了高铝材料氧化后由于应力变化、热膨胀系数变化容易产生缺陷，从而造成芯片性能下降以及寿命缩短的问题，由此进一步提高了芯片的性能以及延长了芯片的寿命。
基本信息
专利标题 ：
具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113839308A
申请号 ：
CN202111417176.3
公开（公告）日 ：
2021-12-24
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
CN113839308B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
尧舜董国亮戴伟刘晨晖胡斌陈章龙冒凯王青江蔼庭
申请人 ：
华芯半导体研究院（北京）有限公司;华芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张娜
优先权 ：
CN202111417176.3
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2022-01-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/183
申请日 : 20211126
申请日 : 20211126
2021-12-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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