碳化钽涂层碳材料及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种碳化钽涂层碳材料及其制备方法。根据本发明的一方面，提供一种碳化钽涂层碳材料，其包括：碳基材；以及通过化学气相沉积(CVD)方法形成在所述碳基材上的碳化钽涂层，其中，被包括在所述碳化钽涂层中的最大微裂纹的宽度为1.5μm至2.6μm。
基本信息
专利标题 ：
碳化钽涂层碳材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114572975A
申请号 ：
CN202111437389.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曺东完
申请人 ：
韩国东海炭素株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202111437389.2
主分类号 ：
C01B32/194
IPC分类号 ：
C01B32/194 C01B32/21 C01B32/156 C23C16/02 C23C16/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
C01B32/182
石墨烯
C01B32/194
后处理
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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