Sepic电路的DCM动态建模方法、设备及存储介质
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种Sepic电路的DCM动态建模方法、设备及存储介质,其方法包括如下步骤:S1:将Sepic电路等效为低阶电路;S2:采用TIS‑SFG建模法对步骤S1得到的低阶电路进行建模,得到Sepic电路在DCM工况下的稳态模型,对稳态模型进行处理得到DCM工况下的Sepic电路的各个稳态值;S3:根据Sepic电路在DCM工况下的小信号模型,在步骤S2得到的各个稳态值的基础上,得到Sepic电路在DCM工况下的传递函数表达式。本发明将高阶变换器转换为低阶电路,可以使用TIS‑SFG方法对其进行建模,该方法能减少建模时的计算量,对其控制方法的研究与控制器的设计有重要意义。

基本信息
专利标题 :
Sepic电路的DCM动态建模方法、设备及存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114330172A
申请号 :
CN202111450856.5
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
丁梁姚建生王建军施光南茹伟周永智韦巍蒋安杰朱祥昱张雨蓓
申请人 :
浙江大学;国网浙江省电力有限公司绍兴市上虞区供电公司;国网浙江省电力有限公司绍兴供电公司
申请人地址 :
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 :
杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
秦晓刚
优先权 :
CN202111450856.5
主分类号 :
G06F30/30
IPC分类号 :
G06F30/30  H02M3/155  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/30
电路设计
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/30
申请日 : 20211201
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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