利用微波加热固定床连续合成高阶硅烷的方法及系统
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种利用微波加热的方式使甲硅烷在硅粉床层中发生裂解反应生成高阶硅烷的方法及其反应系统;在固定床反应装置中,以硅粉添加催化剂作为固定床层,将甲硅烷通入床层,并采用微波加热的方式对床层物料进行加热,使甲硅烷在硅粉表面发生裂解与自由基重组反应,生成高阶硅烷。本发明实现了由低阶甲硅烷直接合成高阶硅烷的过程,且高阶硅烷收率高,反应过程简单可连续进行,不涉及过多的化学介质,无副产物排放,且产物易于分离提纯。
基本信息
专利标题 :
利用微波加热固定床连续合成高阶硅烷的方法及系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114314596A
申请号 :
CN202111453737.5
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈涵斌王伟孙雪峰
申请人 :
全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
申请人地址 :
安徽省滁州市全椒县十字镇杨岗大道88号
代理机构 :
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 :
李寰
优先权 :
CN202111453737.5
主分类号 :
C01B33/04
IPC分类号 :
C01B33/04 B01J8/02 B01D3/14
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/04
硅的氢化物
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/04
申请日 : 20211201
申请日 : 20211201
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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