一种屏蔽封闭体退磁结构及方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种屏蔽封闭体退磁结构及方法，属于退磁领域。屏蔽封闭体退磁方法包括以下步骤：S100、将所述退磁线圈中的X轴线圈、Y轴线圈和Z轴线圈分别均匀绕制在所述六面体屏蔽层平行于X轴的四个薄层、平行于Y轴的四个薄层和平行于Z轴的四个薄层上；S200、所述X轴线圈、Y轴线圈和Z轴线圈同时通电，使得所述退磁线圈构建的磁场形成三维交替式流通，并一步完成退磁。本发明可使得退磁在一步内完成并一次性对X、Y、Z三轴进行，不仅解决退磁过程中局部软磁材料充磁的问题，还可以提高退磁效率。
基本信息
专利标题 ：
一种屏蔽封闭体退磁结构及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334348A
申请号 ：
CN202111458138.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘东华陈奕陶王矜婷林生鑫靳崇渝李立毅
申请人 ：
哈尔滨工业大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 ：
哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘景祥
优先权 ：
CN202111458138.2
主分类号 ：
H01F13/00
IPC分类号 ：
H01F13/00 H01F5/00 H05K9/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F13/00
磁化或去磁的设备或方法
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 13/00
申请日 : 20211201
申请日 : 20211201
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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