存储器裸片上的存储器位置年限跟踪
公开
摘要
各种实施例实现对存储器裸片的一或多个物理存储器位置(例如，物理块)进行年限跟踪，所述存储器裸片可来自存储器装置的部分。特定来说，各种实施例使用所述存储器裸片上的一或多个老化分组提供存储器裸片(例如，存储器集成电路IC)的一或多个物理存储器位置的年限跟踪，其中每一老化分组与所述存储器裸片的一组不同的物理存储器位置相关联。通过针对一组物理存储器位置使用老化分组，各种实施例可使得在存储器裸片已经受一或多个回流焊接工艺之后与所述存储器裸片交互的处理装置能够确定在所述一或多个回流焊接工艺之后所述组物理存储器位置的老化程度。
基本信息
专利标题 ：
存储器裸片上的存储器位置年限跟踪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613413A
申请号 ：
CN202111484256.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
F·G·特里维迪
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111484256.0
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34 H05K3/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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