在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法
公开
摘要
实施例提供了在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法。本公开涉及一种包括非易失性存储器(NVM)的集成电路。该集成电路包括偏置生成器，该偏置生成器产生用于NVM的可靠读取操作的稳定字线电压和位线电压。本公开涉及存储器读取、擦除验证和编程验证的低电压存储器操作。本公开涉及非易失性存储器电路，该非易失性存储器电路也可以在数字电压供应范围内的低电源电压处操作。
基本信息
专利标题 ：
在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114627936A
申请号 ：
CN202111493038.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
V·拉纳N·达拉尔
申请人 ：
意法半导体国际有限公司
申请人地址 ：
瑞士日内瓦
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
李春辉
优先权 ：
CN202111493038.3
主分类号 ：
G11C16/08
IPC分类号 ：
G11C16/08 G11C16/30 G11C16/34 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/08
地址电路；译码器；字线控制电路
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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