本发明涉及一种确定2DEG浓度沿栅宽分布的方法，包括利用器件的C‑V曲线计算得到2DEG平均浓度，基于2DEG平均浓度与栅极宽边的乘积，得到2DEG沿栅极宽边的总浓度；在器件的栅极施加不等的电压来调节器件的电致发光强度，获取不等栅压下的器件发光图；根据器件发光图得到不等栅压下电致发光强度沿栅极宽边的分布状态，基于电致发光强度沿栅极宽边的分布状态计算得到总光强随栅压的变化关系，并确定某一栅压下沿栅极宽边的总光强和2DEG总浓度，得到单位光强下的2DEG浓度；基于单位光强下的2DEG浓度和电致发光强度计算得到沿栅极宽边分布的2DEG浓度。本发明能够测试出2DEG浓度在器件内的实际分布，对提高临界电压、临界场强等器件参数的精确度有重要意义。