一种高速高稳态电平位移电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种高速高稳态电平位移电路，属于模拟电路领域。PMOS管MP3、MP4和PMOS管MP5、MP6构成两组瞬态增强结构，利用其可实现当输入低压逻辑控制信号VIN跳变时输出电平的快速转换。PMOS管MP3、MP4、MP5和MP6在电路稳态时退出工作，降低了电路静态电流。PMOS管MP1和MP2采用正反馈连接形式，可加速输出电平的转换速度，稳定的将处于GND～VDD_L电源域的低压逻辑控制信号转换为GND～VDD_H电源域的高压驱动信号。电流源I1和I2用于在上电过程中确定电路初始状态，防止因低压逻辑控制信号VIN相对于低电压域模块供电电源VDD_L状态不确定，导致电路中其余MOS管状态无法确定，最终电平位移电路输出也状态不定的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种高速高稳态电平位移电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114285402A
申请号 ：
CN202111500649.6
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
奚冬杰徐晴昊
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨强
优先权 ：
CN202111500649.6
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185 H03K19/00
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/0185
申请日 : 20211209
申请日 : 20211209
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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