一种电平位移电路
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摘要
本发明涉及一种电平位移电路，所述电路包括VDD为芯片电源，GND为芯片地；HB为半桥高边侧浮动电源；HS为半桥高边侧浮动地；N1、N2为承受半桥高压的MOS；电阻R1、R2为产生电压差的两个电阻；三极管Q1、Q2、Q3、Q4组成两组电流镜；三极管Q5为一路电流源，分别为Q1支路或Q3支路提供偏置电流，偏置电流的大小由偏置电压Vb和电阻R3或R4决定；P1、P2为控制两组电流镜是否产生电流的开关管，分别由脉冲信号pulse1、pulse2控制；P3、P4为采样开关管；R5、R6电阻及N3为RS锁存器产生初始状态；PulseGen模块接收DRV_IN信号，产生两路低窄脉冲信号pulse1和pulse2,RS锁存器产生输出信号DRV_OUT，该信号控制后续的驱动电路；方案新颖、简洁，可将电路功耗限制地极低，功耗值精确。
基本信息
专利标题 ：
一种电平位移电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021742403.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-19
授权号 ：
CN213754482U
授权日 ：
2021-07-20
发明人 ：
涂才根张胜谭在超罗寅丁国华
申请人 ：
苏州锴威特半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层
代理机构 ：
南京众联专利代理有限公司
代理人 ：
杜静静
优先权 ：
CN202021742403.0
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185
法律状态
2021-07-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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